如果台积电想要再统治20年，它就必须依靠这种新材料！

尽管第三代半导体已经开发了一段时间，但从今年开始才逐渐广为人知。

尤其是，“第十四个五年计划”被称为“第十四个五年计划”。

中国大陆今年发布的产品包括第三代半导体，这再次引起了市场的关注。

第三代半导体的关注。

与第一代半导体材料的硅（Si）和第二代半导体材料的砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有更小的尺寸，高效率和快速散热等功能。

适用于5G基站，加速快速充电，电动汽车充电桩等相关产品领域。

到目前为止，该技术已经足以应用于商业产品。

国际主要工厂Cree，Infineon和ROHM已进入大规模生产碳化硅的阶段。

在过去的三年中，碳化硅和氮化镓等化合物的成本下降了20％至25％，这将有助于将第三代半导体引入最终产品中。

至于中国台湾，汉雷是台湾制造商中碳化硅和氮化镓领域最大的制造商。

Hanlei已试制了6英寸碳化硅，而Jiajing将于明年发货。

今年6月，汉雷及其子公司嘉靖公司开始首次瞄准市场，加快在碳化硅和氮化镓领域的产能部署。

对第三代半导体，6英寸碳化硅晶片的需求已经处于试生产阶段，客户对电动汽车的需求最大。

韩磊在第三季度法律会议上说，只要它在下半年通过客户验证，它对明年出货量和收入的贡献预计将比今年增长。

特别是最近流行的电动汽车集团是第三代半导体瞄准的重要领域。

Hanlei的650伏特高压GaN已通过电动汽车标准认证，并已开始逐步引入。

在电动汽车势不可挡的趋势下，可以看到第三代半导体在充电领域的优势。

除汉雷外，上游晶圆厂中美晶于8月份投资35亿元人民币，进入了砷化镓晶圆代工厂洪杰克，并投资了氮化镓的工艺开发。

有望实现上游和下游的互补效应，并实现协同增效。

未来，在半导体化合物市场中，发展潜力值得关注。

如果要将GaN应用于5G基站，则必须从基站的功率放大器（PA）开始。

宏源投资有限公司的分析师翁浩轩指出，在当前的PA市场中，“横向扩散的金属氧化物半导体技术”已成为人们关注的焦点。

仍然使用硅制成的（LDMOS）。

由于LDMOS仅适用于低频频段，因此5G使用的3.5GHz高频频段已经受到关注。

达到了LDMOS流程的最高要求。

随着5G向更高频段的发展，目前只有第三代半导体材料氮化镓才能满足高频，低噪声，大功率，高耐压和低功耗的需求，自然会成为主要材料适用于未来的5G基站。

这款全新产品已经通过了高通第二代5G功率放大器的认证，并已于今年第四季度开始发货。

只要高通第二代5G的销售反应良好，这种新产品将受益并成为明年重要的收入驱动力。

加上明年5G手机销量增长和Wi-Fi 6普及率上升的趋势，对功率放大器的需求只会增加，明年的利润增长势头将是有希望的。

由于目前氮化镓组件的单价仍然很高，因此电信设备基站中使用的氮化镓组件的普及率仅为30％左右。

但是，根据工业技术研究院的预测，只要未来需求增加，价格就应继续下降，到2025年渗透率将达到近50％。

轻巧，高效，低发热的氮化镓驱动对无源器件的需求至于将氮化镓引入消费电子领域，则源于射频组件（RF）领域的快速增长。

市场研究机构YoleDéveloppement估计胆汁的渗透率