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St晶闸管

STMicroelectronics成立于1987年,是法国SGS半导体和法国Thomson Semiconductor合并的新公司。

该公司自1994年以来一直在公开上市。

意法半导体的股票在纽约证券交易所上市(STM:STM)。

它在泛欧巴黎证券交易所和意大利米兰证券交易所上市。

自成立以来,意法半导体的增长速度超过了半导体行业的整体增长速度。

自2005年以来,意法半导体一直是全球五大半导体公司之一。

整个集团拥有约50,000名员工,拥有16个先进的研发设施,39个设计和应用中心,13个主要制造工厂,以及在36个国家的78个销售办事处。

总部位于瑞士日内瓦,总部位于欧洲,中东和非洲(EMEA)市场;该公司的美国总部位于德克萨斯州达拉斯的卡罗尔顿;亚太地区总部设在新加坡;日本的业务总部设在东京;大中华区总部位于上海,负责香港,中国大陆和台湾地区的业务。

St晶闸管由四层半导体材料构成,具有三个PN结,并具有三个外部电极:第一层P型半导体的电极称为阳极A,第三层P型半导体的电极将第四层N型半导体拉出的电极称为阴极K.从晶闸管的电路符号可以看出,它是像二极管那样的单向导电器件。

关键是增加一个控制电极G,使其具有与二极管完全不同的工作特性。

St晶闸管是P1N1P2N2四层三端子结构元件,具有三个PN结。

在分析原理时,可以认为它由PNP管和NPN管组成。

等效图如图1所示。

当A加上正向电压时,BG1和BG2管都处于放大状态。

此时,如果从门G输入正向触发信号,则BG2具有流过它的基本流ib2,并且BG2放大集电极电流ic2 =β2ib2。

由于BG2的集电极直接连接到BG1的基极,因此ib1 = ic2。

此时,电流ic2被BG1放大,因此BG1的集电极电流ic1 =β1ib1=β1β2ib2。

该电流流回BG2的基极,这是正反馈,这增加了ib2。

由于正向馈电回路,两个电子管的电流急剧增加,并且st晶闸管使饱和状态开启。

由于BG1和BG2的正反馈效应,一旦st晶闸管导通,即使栅极G的电流消失,st晶闸管仍然可以保持导通状态,因为触发信号仅作为触发,不关断功能,因此该晶闸管不可转动。

由于st晶闸管仅具有两种工作状态,即导通和截止,因此它具有开关特性,这需要转换某些条件。

有关此情况,请参阅表1。

2.基本伏安特性。

晶闸管的基本电压。

其特性如图2所示。

图2 st晶闸管的基本伏安特性(1)反向特性当控制极开路时,阳极施加反向电压(见图3),J2结正偏置,但是J1和J2是相反的。

部分。

此时,只有很小的反向饱和电流可以流动。

当电压进一步增加到J1结的雪崩击穿电压时,结J3结也会击穿,并且电流迅速增加。

图2的特征3开始弯曲,如特征OR。

如段落所示,弯曲处的电压URO称为“反向转换电压”。

此时,st晶闸管将永久反转。

(2)正向特性当控制极打开时,当正向电压施加到阳极时(见图4),J1和J3结正偏置,但J2结是反向的。

这类似于普通PN结的反向特性。

它只能流过很小的电流。

这称为前向阻塞状态。

当电压增加时,图3的特性弯曲,如特征OA部分所示。

UBO称为:正转换电压。

图4:阳极加正向电压。

随着电压上升到J2结的雪崩击穿电压,J2结具有雪崩倍增效应,并且在结区域中产生大量电子和空穴。

进入N1区,洞进入P2区。

进入N1区域的电子与从P1区域通过J1结注入N1区域的空穴复合。

类似地,进入P2区域的空穴与从N2区域通过J3结注入P2区域的电子重新结合,雪崩击穿并进入N1区域。

进入P2区域的电子和空穴不能完全重新组合。

因此,电子在N1区域中累积,并且空穴在P2区域中累积。

结果,P2区域中的电位增加,并且N1区域中的电位降低。

它变为正偏置,并且只要电流略微增加,电压迅速下降,并且出现所谓的负电阻特性,如图3的虚线AB所示。

此时,三个结点J1,J2和J3均为正偏置,并且st晶闸管进入正向导通状态---导通状态。

此时,它的特性与普通PN结的特性相似,见图2 BC段的晶闸管​​的优点很多,例如:用低功率控制大功率,功率放大系数高达数十万倍;反应非常快,在微秒级开启和关闭;无接触操作,无火花,无噪音;高效率,低成本等。

可控硅的缺点:静态和动态过载能力差;容易受到干扰和误导。

电流1.额定导通电流(IT)是最大稳定工作电流,通常称为电流。

常用的晶闸管IT通常为一至几十安培。

耐电压2.反向重复峰值电压(VRRM)或关闭状态重复峰值电压(VDRM),通常称为耐压。

常用晶闸管的VRRM / VDRM通常为几百伏到一千伏。

触发电流3.受控触发电流(IGT),通常称为触发电流。

常用晶闸管的IGT通常从几微安到几十毫安。

额定正向平均电流4,在规定的环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的平均电流通常使用的晶闸管封装形式为TO-92,TO-126,TO-202AB,TO-220,TO-220AB ,TO-3P,SOT-89,TO-251,TO-252等

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